GUEVARA, E.; TINAJERO, J.; GUEVARA, M.; CAJAS BUENAÑO, M. Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs: Array. Revista Perspectivas, [S. l.], v. 2, n. 1, p. 33–37, 2020. DOI: 10.47187/perspectivas.vol2iss1.pp33-37.2020. Disponível em: http://perspectivas.espoch.edu.ec:8081/index.php/RCP_ESPOCH/article/view/69. Acesso em: 22 nov. 2024.