Guevara, E., Tinajero, J., Guevara, M. y Cajas Buenaño, M. 2020. Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs: Array. Revista Perspectivas. 2, 1 (ene. 2020), 33–37. DOI:https://doi.org/10.47187/perspectivas.vol2iss1.pp33-37.2020.